原子層沉積系統(tǒng)ALD

簡要描述：原子層沉積系統(tǒng)ALD：ALD可實現(xiàn)從傳統(tǒng)的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結構和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學性質的三維復雜納米結構。

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廠商性質：生產廠家
更新時間：2025-02-18
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ALD可實現(xiàn)從傳統(tǒng)的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結構和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學性質的三維復雜納米結構。

原子沉積系統(tǒng)ALD

標準型（Standard ）設備

價格低、質量高、可任選附件進行搭配

結構簡單，操作方便，后期維護簡單易行

用途廣，適合各種基底材料

原子層沉積系統(tǒng)ALD ——擴展型（Flexivol）設備

腔室體積可根據用戶樣品的尺寸靈活調節(jié)，同一腔室可通過簡單的調節(jié)適用于不同厚度的樣品

增多前驅體源入口數(shù)目，避免腔室體積增大對前驅體化學源氣氛分布的影響

ALD原子層沉積系統(tǒng)——高度定制化（Non-Standard）設備

為工業(yè)客戶提供薄膜沉積方案

放大基于標準研究型設備檢驗的相同技術

根據客戶的特殊需求，加工定制，滿足特殊應用及大規(guī)模的生產需要

研發(fā)（R&D）服務

開發(fā)新的薄膜沉積方案

診斷、改進現(xiàn)有ALD的工藝

為潛在的客戶做覆膜演示

薄膜沉積工藝咨詢

原子層沉積系統(tǒng)ALD技術參數(shù)

不銹鋼材質腔室，根據客戶樣品尺寸有不同的腔室直徑（D < 200 mm, D = 200 mm, D > 200 mm）和高度（H = 20 mm, H = 50 mm）可選；前驅體進樣系統(tǒng)標配四路（包含冷和熱兩種前軀體），可配至八路

前驅體進樣系統(tǒng)配有快速氣動閥門

多段溫度控制

前驅體溫控0-200 °C，精度1 °C

腔室溫控0-300 °C ，精度1 °C

進出腔室管路溫控0-150 °C ，精度1 °C

基本壓強　10^?1/10^?3 mbar

設備尺寸　1000x600x1000 mm

觸控控制系統(tǒng)

系統(tǒng)當前狀態(tài)信息顯示：氣流速度、溫度、壓力和閥門開度等

工藝監(jiān)控：溫度和壓力等

偏差報警和安全鎖

菜單操作，實時監(jiān)控

可增配選項

等離子體發(fā)生器借助等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ALD性能

臭氧發(fā)生器提供強氧化劑，增大ALD生長的前驅體選擇范圍

石英晶體微天平在線監(jiān)測薄膜沉積的厚度

工業(yè)及非標研發(fā)系統(tǒng)

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